Almacenamiento NVMe de alto desempeño para estaciones de trabajo, desarrollo y creación de contenido. Su memoria TLC con caché DRAM ofrece una respuesta ágil al ejecutar aplicaciones exigentes, manejar archivos grandes y trabajar con máquinas virtuales de desarrollo y pruebas.
Modelo: SKC3000S/512G.
Capacidad: 512 GB.
Formato: M.2 2280.
Interfaz: PCIe 4.0 ×4, NVMe.
Controladora: Phison E18.
Memoria: 3D TLC NAND con caché DRAM.
Velocidad secuencial: hasta 7,000 MB/s de lectura y 3,900 MB/s de escritura.
Rendimiento aleatorio 4K: hasta 450,000 IOPS de lectura y 900,000 IOPS de escritura.
Resistencia de escritura: 400 TBW.
Garantía limitada del fabricante: 5 años, sujeta a las condiciones y al límite de desgaste establecido por Kingston.
Disipación: difusor térmico de grafeno y aluminio de perfil bajo.
Dimensiones: 80 × 22 × 2.21 mm.
Peso: 7 g.
Compatibilidad: requiere una ranura M.2 compatible con NVMe. Para aprovechar su rendimiento máximo necesita una conexión PCIe 4.0 ×4; en plataformas PCIe anteriores, la velocidad estará limitada por la generación y los carriles disponibles.
Las velocidades indicadas son máximas y pueden variar según el equipo, la temperatura y la carga de trabajo.